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檢測介質(zhì)損耗須知的內(nèi)容

更新時間:2018-07-27      瀏覽次數(shù):1886

(1)在絕緣設(shè)計時,必須注意絕緣材料的tanδ 值。若tanδ 值過大則會引起嚴重發(fā)熱,使絕緣加速老化,甚至可能導(dǎo)致熱擊穿。而在直流電壓下,tanδ 較小而可用于制造直流或脈沖電容器。

(2) 正切值tanδ反映了絕緣的狀況,可通過測量 tanδ=f(ф)的關(guān)系曲線來判斷從良狀態(tài)向劣化狀態(tài)轉(zhuǎn)化的進程,故tanδ的測量是電氣設(shè)備絕緣試驗中的一個基本項目。

(3)通過研究溫度對tanδ值的影響,力求在工作溫度下的tanδ值為小值而避開大值。

(4)極化損耗隨頻率升高而增大,尤其電容器采用極性電介質(zhì)時,其極化損耗隨頻率升高增加很快,當電源中出現(xiàn)高次(如3次、5次)諧波時,就很容易造成電容器絕緣材料因過熱而擊穿。

(5)用于沖擊測量的連接電纜,其絕緣的tanδ必須很小,否則所測沖擊電壓通過電纜后將發(fā)生嚴重的波形畸變,影響到測量的準確性。揚州豪泰提供-檢測介質(zhì)損耗須知的內(nèi)容。

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